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发表人:wyg990 发表时间:2010-5-22 17:01:00  

 

 本栏论题: 怎样测量IGBT和IGCT的好坏  [8229] 
    怎样测量IGBT和IGCT的好坏

以下是关于《怎样测量IGBT和IGCT的好坏》论题的回复(共89篇,分9页显示)

 共9页  第1页  页次: 末页   下一页   

回复人:delphia

 回复时间:2010-5-28 21:27:00

 

    IGCT的好坏

回复人:anang

 回复时间:2010-5-29 13:54:00

 

    直接测量电阻值

回复人:路隐飘香

 回复时间:2010-5-30 20:10:00

 

    学习中

回复人:lanjunxi

 回复时间:2010-6-4 20:29:00

 

    进来学习一下

回复人:jack7887

 回复时间:2010-7-5 14:57:00

 

    good

回复人:小洲

 回复时间:2010-7-16 15:10:00

 

    将万用表拨在R x 10kΩ档,用黑表笔接IGRT的集电极(C),红表笔接IGBT的发射极(E),此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极(G)和集电极(C),这时IGBT,被触发导通,万用表的指针摆向阻值较小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极(G)和发射极(E),这时IGBT被阻断,万用表的指针回零。此判断极性
   
      首先将万用表拨在R×1kΩ档,用万用表测量时,若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大,则判断此极为栅极(G)。其余两极再用万用表测量,若测得阻值为无穷大,则调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小时的一次中,则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。
    时即可判断IGBT是好的 任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT,好坏时,一定要将万用表拨在R x 10kΩ档,因R x 1kΩ,以下各档万用表内部电池电压太低,检测好坏时不能使IGBT触发导通,从而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。此法检侧IGBT简单方便、准确可靠。

回复人:PINGKT

 回复时间:2010-7-16 16:27:00

 

    进来学习一下

回复人:jq1937

 回复时间:2010-8-25 13:08:00

 

    给G-E间加15V电压,用二极管档测量C-E间导通情况。

回复人:扬帆出海

 回复时间:2010-8-26 15:42:00

 

    将万用表拨在R x 10kΩ档,用黑表笔接IGRT的集电极(C),红表笔接IGBT的发射极(E),此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极(G)和集电极(C),这时IGBT,被触发导通,万用表的指针摆向阻值较小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极(G)和发射极(E),这时IGBT被阻断,万用表的指针回零。此判断极性
   
      首先将万用表拨在R×1kΩ档,用万用表测量时,若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大,则判断此极为栅极(G)。其余两极再用万用表测量,若测得阻值为无穷大,则调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小时的一次中,则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。
    时即可判断IGBT是好的 任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT,好坏时,一定要将万用表拨在R x 10kΩ档,因R x 1kΩ,以下各档万用表内部电池电压太低,检测好坏时不能使IGBT触发导通,从而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。此法检侧IGBT简单方便、准确可靠。

回复人:幻想86

 回复时间:2010-9-20 16:38:00

 

    很实用的啊

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