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发表人:liuhuijwx 发表时间:2007-8-15 9:23:00  

 

 本栏论题: 小弟想请教各位,哪位知道工业扩散炉是做什么用的,知道请您回个帖,谢谢   [4807]

    小弟想请教各位,哪位知道工业扩散炉是做什么用的,知道请您回个帖,谢谢

以下是关于《小弟想请教各位,哪位知道工业扩散炉是做什么用的,知道请您回个帖,谢谢 》论题的回复(共2篇)

回复人:wangsi 

 回复时间:2007-8-20 21:35:00

支持(782) | 反对(569)

 

    扩散炉是集成电路生产线前工序的重要工艺设备之一,它的主要用途是对半导体进行掺杂,即在高温条件下将掺杂材料扩散入硅片,从而改变和控制半导体内杂质的类型、浓度和分布,以便建立起不同的电特性区域。虽然某些工艺可以使用离子注入的方法进行掺杂,但是热扩散仍是最主要、最普遍的掺杂方法。硅的热氧化作用是使硅片表面在高温下与氧化剂发生反应,生长一层二氧化硅膜。氧化方法有干氧氧化和水汽氧化(含氢氧合成)两种,扩散炉是用这两种氧化方法制备氧化层的必备设备。扩散炉是半导体集成电路工艺的基础设备,它与半导体工艺互相依存、互相促进、共同发展。
    扩散炉技术发展大体可以分为四个阶段:
    第一阶段:1965年以前,这是扩散炉出现阶段,扩散炉随着半导体工艺的产生而出现,这一阶段的国产扩散炉水平与国外水平差距不大。
    第二阶段:1965~1976年,这是扩散炉功能被逐步完善的阶段。这个阶段是器件半导体进入集成电路时代,因而对工艺设备的功能提出了许多新的要求。为适应工艺要求,在此阶段逐渐配备了工艺气路系统,送片系统以及净化台等,炉管口径逐渐加大,可处理3英寸硅片。
    第三阶段:1976~1987年,这是扩散炉在技术上的成熟阶段。这期间半导体工艺进入VLSI时代,在1983年6英寸生产线已经建立。1987年微细加工的特征尺寸已达到1μm,设备的更新周期大大缩短,为满足工业生产技术发展的要求,扩散炉技术性能持续改善提高,主要表现形式是硅片尺寸增大,颗粒污染控制更严格,工艺参数控制更加精确,已经实现温度曲线和工艺时序的全自动控制,设备可靠性有很大提高,卧式扩散炉技术趋于成熟。
    第四阶段:1987年至今,微细加工线宽由1μm发展到0.25μm以下,硅片直径已经增大到8英寸,已经建立了8英寸生产线。传统扩散炉在满足工艺要求方面面临很大困难,为解决这些困难,适应工艺进步要求国外出现了立式扩散/氧化炉,立式炉与卧式炉相比有其优点:
   
    1.在扩散炉口径变大以后,恒温区的横截面温度差卧式炉比立式大得多,立式炉更能满足工艺要求;
    2.立式扩散/氧化炉能够控制氧气浓度达20~30ppm,为达到特殊工艺要求甚至更低,使之满足薄膜工艺要求;
    3.有利于满足自动化水平,实现自动装卸片;
    4.工艺过程中硅片在高温状态易变形,水平放置硅片变形小;
    5. 高温扩散及硅片破碎时,立式炉不需要清洗反应管和石英舟,反应部位的粘附物、颗粒少。
   

回复人:卡其瑟 

 回复时间:2010-9-19 14:45:00

支持(498) | 反对(523)

 

    扩散炉系统设备用途:用于半导体器件、太阳能电池片、电力半导体、纳米材料、LED、光电器件、光导纤维、金属材料,磁性材料等行业的扩散、氧化、烧结、合金的工艺。
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