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所在位置:工控博客苑-- terminal-- 安森美新系列半导体拥有独特卡槽

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陈先生

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安森美新系列半导体拥有独特卡槽

发表评论(0)    发布时间:2011年12月15日  

    安森美半导体推出新系列的100伏(V)沟槽型低正向压降肖特基整流器(LVFR),用于笔记本适配器或平板显示器的开关电源、反向电池保护电路及高频直流-直流(DC-DC)转换器等应用。
   
    森美半导体的客户力求其产品设计更高能效,面市已久的平面型肖特基整流器根本无法高性价比地提供沟槽型LVFR系列所具的性能及能效。LVFR在扩展温度范围内提供优异正向压降及反向漏电流性能,超出我们客户提升电源能效的严格规格。”
   
      新系列器件采用沟槽拓扑结构,提供优异的低正向压降及更低漏电流,因而导电损耗低及大幅提升的电路能效,帮助设计工程师符合高能效标准规范要求,不会增加复杂度,例如无须同步整流。
   
      此LVFR系列利用沟槽金属氧化物半导体(MOS)结构,在正向偏置条件下提供更大的导电区,因而显著降低正向压降。在反向偏置条件下,此结构产生“夹断”(pinch-off)效应,从而降低漏电流。跟平面型肖特基整流器不同,安森美半导体的沟槽型LVFR的开关性能在-40 °C至+150 °C的整个工作结点温度范围内都很优异。
   
    中国端子网:www.cnduanzi.com
 

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