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扩散炉是集成电路生产线前工序的重要工艺设备之一，它的主要用途是对半导体进行掺杂，即在高温条件下将掺杂材料扩散入硅片，从而改变和控制半导体内杂质的类型、浓度和分布，以便建立起不同的电特性区域。虽然某些工艺可以使用离子注入的方法进行掺杂，但是热扩散仍是最主要、最普遍的掺杂方法。硅的热氧化作用是使硅片表面在高温下与氧化剂发生反应，生长一层二氧化硅膜。氧化方法有干氧氧化和水汽氧化（含氢氧合成）两种，扩散炉是用这两种氧化方法制备氧化层的必备设备。扩散炉是半导体集成电路工艺的基础设备，它与半导体工艺互相依存、互相促进、共同发展。
扩散炉技术发展大体可以分为四个阶段：
第一阶段：1965年以前，这是扩散炉出现阶段，扩散炉随着半导体工艺的产生而出现，这一阶段的国产扩散炉水平与国外水平差距不大。
第二阶段：1965~1976年，这是扩散炉功能被逐步完善的阶段。这个阶段是器件半导体进入集成电路时代，因而对工艺设备的功能提出了许多新的要求。为适应工艺要求，在此阶段逐渐配备了工艺气路系统，送片系统以及净化台等，炉管口径逐渐加大，可处理3英寸硅片。
第三阶段：1976~1987年，这是扩散炉在技术上的成熟阶段。这期间半导体工艺进入VLSI时代，在1983年6英寸生产线已经建立。1987年微细加工的特征尺寸已达到1μm，设备的更新周期大大缩短，为满足工业生产技术发展的要求，扩散炉技术性能持续改善提高，主要表现形式是硅片尺寸增大，颗粒污染控制更严格，工艺参数控制更加精确，已经实现温度曲线和工艺时序的全自动控制，设备可靠性有很大提高，卧式扩散炉技术趋于成熟。
第四阶段：1987年至今，微细加工线宽由1μm发展到0.25μm以下，硅片直径已经增大到8英寸，已经建立了8英寸生产线。传统扩散炉在满足工艺要求方面面临很大困难，为解决这些困难，适应工艺进步要求国外出现了立式扩散/氧化炉，立式炉与卧式炉相比有其优点：
1.在扩散炉口径变大以后，恒温区的横截面温度差卧式炉比立式大得多，立式炉更能满足工艺要求；
2.立式扩散/氧化炉能够控制氧气浓度达20~30ppm，为达到特殊工艺要求甚至更低，使之满足薄膜工艺要求；
3.有利于满足自动化水平，实现自动装卸片；
4.工艺过程中硅片在高温状态易变形,水平放置硅片变形小；
5. 高温扩散及硅片破碎时，立式炉不需要清洗反应管和石英舟，反应部位的粘附物、颗粒少。
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